来源：火狐体育app官网 发布时间：2025-12-03 07:23:15
11月30日，T1000级碳纤维项目在山西省大同市云冈区竣工投产，成功完结12K小丝束T1000级碳纤维国产化量产 ，这标志着国产高功能碳纤维规模化量产完结要害性打破。该项目一期200吨/年高功能碳纤维演示产线日竣工投产。项目所出产的T1000级碳纤维，单丝直径仅6至7微米，缺乏头发丝的1/10，拉伸强度却打破6400兆帕；密度仅为钢的1/4，强度却是钢的5倍以上。
11月27日，利安隆发布了重要的公告称，公司以自有资金5000万元对深圳斯多福新资料科技有限公司进行战略出资，天津天开海河海棠高教创业出资合伙企业（有限合伙）同步出资1000万元。买卖完结后，利安隆将持有斯多福25%股权，斯多福仍坚持独立运营；天开海棠基金持有5%股权，斯多福投后估值为2亿元。
11月28日，古雷开发区第四季度要点项目会集签约、开工活动顺畅举行。本次会集签约、开工的项目共有8个，总出资约143.69亿元。据悉，此次开发区现场开工的项目是华能2×66万千瓦热电联产机组工程建造项目；会集签约的项目为奇美化工扩建年产4万吨PC复材合金、古雷巨融动力日处理32万方化工尾气归纳收回使用制LNG、嘉禾聚能36万吨/年低碳循环精制新资料、同辉科发电子特种新资料、精焓新资料纳米核壳增韧剂等项目。
11月27日，我国昆明川金诺化工股份有限公司（以下简称“川金诺”）与埃及埃尔塞韦迪工业展开公司（ El Sewedy Industrial Development）签署协议，将在苏伊士运河经济区内出资建造大型磷化工项目。该项目总出资10亿美元，分三期建造。一期工程将于2026年发动建造，首要出产磷酸化肥。二期工程估计2029年发动，要点出产精密磷化工产品，包含工业级与食品级的净化磷酸、磷酸二氢钾等。三期工程估计2032年发动，产业链将延伸至新动力资料范畴。
近来，内蒙古科美特电子资料项目环境影响点评文件受理状况公示。项目总出资9.4亿元，分二期建造，本次点评为一期工程，建造完结后具年产12000吨电子级高纯六氟化硫、2500吨电子级高纯四氟化碳，副产6500吨40%氢氟酸。
近来，湖北省襄阳市保康楚烽化工有限责任公司20万吨/年锂电池正极资料前驱体项目环境影响点评第2次公示。项目拟出资62亿元新建锂电池正极资料前驱体项目，构成年产20万吨/年磷酸铁、100万吨/年复合肥的出产能力，并配套建造相关共用工程、辅佐工程、储运工程和环保工程。据了解，在此次新建的20万吨锂电池正极资料前驱体项目中，便包含120万吨/年磨矿设备、80万吨/年硫磺制酸设备、30万吨/年湿法磷酸设备、10万吨/年磷源净化设备、20万吨/年磷酸铁设备、20万吨/年NPK 预处理工序、60万吨/年反转造粒复合肥设备、20万吨/年揉捏造粒复合肥设备、20万吨/年高塔造粒复合肥设备。
11月26日，吉林石化公司炼油化工转型晋级项目40万吨/年乳液法ABS设备包装出产线产出ABS产品，标志着该设备干法线打通悉数流程，完结一次开车成功。该项目选用公司自主研制的乳液接枝-本体SAN掺混法先进工艺技能，设备由丁二烯聚合、ABS接枝聚合、凝集枯燥、SAN单元和混炼包装五大工序组成，具有干法挤出、湿法挤出两种出产线，首要的组成原资料为丙烯腈、丁二烯和苯乙烯，年规划产能为40万吨ABS及5万吨产品SAN。产品定位以高端通用料、超高抗冲等特征专用料及定制化产品为主，大范围的使用于电子电器、汽车工业等高的附加价值范畴，产品SAN可满意玩具、日用品等职业需求。
11月27日，瓦克化学宣告鉴于当时严重的商业环境，公司于10月发动了名为“PACE”的项目，旨在大幅削减出产环境和办理方面的本钱。现已确认了方案节省的方针金额：方针是未来每年节省超越3亿欧元，其间一半的节省将经过裁人来完结。作为方案裁人的一部分，估计全世界内将削减超越1500个作业岗位。大部分裁人将发生在集团坐落德国的工厂。施行作业将于2026年第一季度开端，并于2027年末完结。
近来，索尔维宣告，与Sapio签署为期10年的协作协议，将在索尔维Rosignano工厂出产基地联合展开可再生氢项目。依据协议，Sapio将担任建造和运营一套5兆瓦电解体系，该体系由索尔维建造的10兆瓦光伏电站供电。项目估计2026年年中投产，每年可出产高达756吨可再生氢，助力该出产基地削减最高15%的二氧化碳排放。
11月27日，东丽株式会社（Toray ）宣告，已成功开宣布一款半导体后端工艺要害资料：高耐热性树脂聚酰亚胺暂时键合资料，适用于制作厚度30微米及以下的半导体晶圆。现在，东丽已发动该资料的样品供货，方案使用现有量产设备，于2028年完结规模化出产。据悉，该资料不含全氟和多氟烷基物质、N - 甲基吡咯烷酮等受严厉监管的有害成分，统筹技能与环保要求；弹性模量达传统产品的 2.5 倍，晶圆总厚度误差≤1.0 微米，处理了背部研磨过程中的变形与压力不均问题；使用方面掩盖 AI 半导体用 HBM、NAND 闪存、功率半导体三大中心范畴，适配下一代半导体笔直堆叠技能需求。
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